Транзистор JT050N065WED

Корпус: TO247
Наименование: JT050N065WED
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 437
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 100
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 283
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 121
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | SAT |
Інформація для замовлення
- Ціна: 100 ₴


